GERMAN

Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente

By Dr.-Ing. habil. Jörg Schulze (auth.)

Book information

Publisher
Springer-Verlag Berlin Heidelberg
Year
2005
ISBN
978-3-540-23437-1, 978-3-540-27547-3
DOI
10.1007/3-540-27547-9
Language
german
Format
PDF
Filesize
13 MB (13174533 bytes)
Series
Halbleiter-Elektronik 23
Edition
1
Pages
429\441
Orientation
yes
Scanned
yes
Time added
2013-08-01 04:00:00
Electronics and MicroelectronicsInstrumentation; Optical and Electronic Materials;

Description

Unter den Konzepten für siliziumbasierte MOS-Bauelemente finden sich neben dem klassischen Lateralkonzept Vertikal- und Quasivertikalkonzepte. Das Buch widmet sich der Erörterung der (quasi)vertikalen MOS-Bauelementkonzepte für Logikanwendungen (CMOS), Speicheranwendungen (DRAM, SRAM, EEPROM) und leistungselektronische Anwendungen. Der Autor stützt sich auf ein umfängliches Quellenmaterial, das in den vergangenen 30 Jahren diskutiert wurde. Er beschreibt, wie die einzelnen Konzepte technologisch umgesetzt wurden und geht auf die Vor- und Nachteile der Konzepte ein. Er erläutert die Funktionsweise und Charakteristiken der elektronischen Bauelemente, die mit dem jeweiligen Konzept realisiert wurden, und untersucht die Relevanz, die (quasi)vertikale Konzepte für die siliziumbasierte MOS-Technologie erlangen können. Das Buch ist besonders geeignet für Ingenieure und Physiker, die sich mit neuartigen bzw. alternativen Bauelementarchitekturen und deren Entwicklung beschäftigen.

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