Интегральное радиационное изменение параметров полупроводниковых материалов

Description

М.: Научно-образовательный центр Московского региона в области фундаментальных проблем радиационной физики твердого тела и радиационного материаловедения. Московский государственный институт электроники и математики, 1998. - 94 с.Основным содержанием учебного пособия является рассмотрение вопросов взаимодействия основных видов радиации с твердым телом. Рассматриваются структуры конкретных точечных и групповых радиационных дефектов в кремнии, германии и арсениде галлия; рассматриваются теоретические предпосылки для расчетов изменения основных электро-физических параметров полупроводников; дается сводка имеющихся эмпирических зависимостей основных параметров полупроводников от интегрального потока облучения различными видами радиационного воздействия. Изложенный в настоящем пособии материал является базовым для дальнейшего изучения радиационных эффектов в различных изделиях электронной техники и оценки реакции радиоэлектронной аппаратуры на воздействие проникающей радиации.СодержаниеВведениеВзаимодействие основных видов радиации с твердым теломКраткая характеристика взаимодействия излучения с веществомОсновные понятияВзаимодействие нейтронов с веществомВзаимодействие протонов с веществомВзаимодействие электронов с веществомВзаимодействие гамма- и рентгеновского излучения с веществомИонизационные потери энергии заряженных частицСмещение атомов в твердых телах при воздействии излучений Пороговая энергия смещения атома из узла кристаллической решеткиСоздание первичных смещений Создание вторичных смещенийПороговая энергия ионизацииКаскадная функцияОценка полного количества смещений при различных видах излученийРаспределение дефектов при различных видах облучения Возникновение примесных атомов в материалах за счет ядерных реакцийРеальная структура радиационных дефектов в кристаллахСтруктурные комплексы в кремнии, образующиеся с участием вакансийСтруктурные преобразования в облученном кремнии с участием междоузельных атомовПроявление примесиАннигиляция вакансий и междоузолий и отжиг радиационных дефектовГрупповые радиационные дефекты (разупорядоченные области)Радиационные дефекты в арсениде галлия и германииИзменение параметров полупроводниковых материалов при облучении, создающем точечные дефекты Изменение концентрации основных носителей заряда в кремнии n-типа при облучении Влияние облучения на концентрацию свободных носителей в кремнии p-типа Влияние облучения на подвижность свободных носителей заряда в кремнии Влияние облучения на время жизни неравновесных носителей заряда Влияние скопления дефектов на электрофизические параметры полупроводников Влияние кислорода на изменение концентрации электроновИзменение подвижности в материале, содержащем разупорядоченные области Влияние разупорядоченных областей на время жизни неосновных носителей зарядаРелаксационные процессы в полупроводниковых материалах при импульсном облученииИнтегральное радиационное изменение параметров полупроводниковых материалов Радиационное изменение концентрации свободных носителей Изменение концентрации основных носителей заряда в кремнии Радиационное изменение концентрации основных носителей в арсениде галлия Радиационное изменение концентрации основных носителей в германии Радиационные изменения подвижности основных носителей заряда Изменение подвижности в кремнии Изменение подвижности в арсениде галлия Изменение подвижности в германии Изменение времени жизни неравновесных носителей заряда при облучении Облучение кремния электронами с энергией Eе = 1 МэВ Облучение «тянутого» кремния протонами с энергией Ep = 10 МэВ Литература