Радиационные эффекты в биполярных интегральных микросхемах

Description

М.: Радио и связь, 1989. – 144 с. –- ISBN 5-256-00254-6.Рассматриваются радиационные эффекты в биполярных интегральных микросхемах, возможные нарушения работоспособности, виды и механизмы отказов. Анализируются схемотехнические и конструктивно-технологические аспекты повышения радиационной стойкости цифровых микросхем и радиоэлектронной аппаратуры. Обобщаются результаты исследований воздействия излучений на микросхемы. Для инженерно-технических работников, занимающихся разработкой радиоэлектронной аппаратуры.Оглавление Предисловие Физические процессы в интегральных микросхемах при воздействии ионизирующих излучений Характеристики радиационных сред и эффектов Количественные характеристики процессов взаимодействия излучений с веществом Эффективность корпускулярных и квантовых ионизирующих излучений Ионизационные эффекты Эффекты смещения Анализ и классификация прикладных задач Эффекты непрерывного облучения в каскадах аналоговых микросхем Радиационные эффекты в нелинейных каскадах аналоговых микросхем Режимно-функциональные модели аналоговых микросхем Расчеты стойкости аналоговых микросхем Ионизационные переходные эффекты в биполярных аналоговых микросхемах Амплитудные характеристики импульсных ионизационных реакций аналоговых микросхем Временные характеристики импульсных ионизационных реакций аналоговых микросхем Факторно-ситуационный анализ процессов формирования импульсных ионизационных реакций аналоговых микросхем Расчет импульсной ионизационной реакции цифро-аналогового преобразователя Ионизационные эффекты в цифровых микросхемах Особенности ионизационных эффектов в цифровых микросхемах Схемотехнические методы повышения стойкости цифровых микросхем Радиационные сбои в триггерных структурах