RUSSIAN

Исследование инфракрасных фоторезисторов на внутризонных переходах в квантовых ямах InGaAs/GaAs: Описание лабораторной работы

By Горшков А.П. , Филатов Д.О. , Карпович И.А.

Book information

Publisher
ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Year
2006
Language
russian
Format
PDF
Filesize
495 kB (506919 bytes)
Pages
18\18
Library
http://window.edu.ru/
Time added
2011-04-06 12:16:06

Description

В работе описаны физические основы межподзонного поглощения излучения в квантовых ямах, принцип работы основанных на этом явлении резистивных инфракрасных фотодетекторов и методика исследования их спектральной характеристики на фурье-спектрометре. Для студентов вузов, обучающихся по специальности 202000 ''Нанотехнологии в микроэлектронике''. Подготовлено на кафедре физики полупроводников и оптоэлектроники ННГУ

Similar books