Методы расчета диффузионных структур: Методические указания
Book information
Description
В данных методических указаниях рассмотрены методы расчета концентрационных профилен и электрофизических параметров полупроводниковых структур, полученных диффузией. Каждый раздел содержит физическую и математическую модели технологического процесса, задания и контрольные вопросы. Для ряда типовых задач приведены решения с соответствующим программным обеспечением, написанным на языке Паскаль и ориентированным на использование персональных компьютеров типа IBM. Методические указания предназначены для проведения аудиторных занятий и самостоятельной работы студентов физического факультета 4 и 5 курсов по специальности 014100 ''Микроэлектроника и полупроводниковые приборы'' и студентов 6 курса, обучающихся в магистратуре по направлению ''Физика'' (специализация ''Полупроводниковые приборы и микроэлектроника'') при изучении спецкурсов ''Математическое моделирование технологических процессов в микроэлектронике'', ''Физические основы технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем'', ''Физические основы микроэлектроники и наноэлектроники''
Similar books
Распределения внедренных примесей с учетом эффекта каналирования: Учебное пособие
2004 · PDF
Распределения ионно-имплантированных примесей в многослойных структурах: Практикум к спецкурсу ''Моделирование в микроэлектронике''
2003 · PDF
Диффузионное перераспределение ионно-имплантированных примесей: Практикум к спецкурсу ''Моделирование в микроэлектронике''
2003 · PDF
Методы расчета ионно-имплантированных структур: Методические указания
2002 · PDF
Федоров Н.Ф. Опыт изложения его учения по изданным и неизданным произведениям, переписке и личным беседам
2013 · PDF
Буддизм в сравнении с христианством. В 2 томах. Том 1
2013 · PDF
Буддизм в сравнении с христианством. В 2 томах. Том 2
2013 · PDF
Философия чувства и веры в ее отношениях к литературе и рационализму XVIII века и к критической философии
2013 · PDF