RUSSIAN

Конструирование заданных профилей распределения примеси в полупроводниках методом ионной имплантации

By Чернов А.А. , Григорьев Ф.И.

Book information

Language
russian
Format
PDF
Filesize
1 MB (1266999 bytes)
Pages
\24
Library
twirpx
Time added
2017-08-07 07:01:42
Приборостроение;Полупроводниковые приборы

Description

М.: Московский государственный институт электроники и математики, 2009. - 24 с.Кратко изложены возможности конструирования различных профилей распределения примеси методом имплантационного полиэнергетического легирования. Представлено описание программного обеспечения для расчета параметров процесса ионной имплантации в полупроводники различных примесей. Описана методика выполнения лабораторной работы.

Similar books