Действие ультразвука на кристаллы с дефектами

Description

Предисловие Глава I. Закономерности распространении и поглощения упругих волн в кристаллах, содержащих подвижные дислокации § 1.1. Упругие волны в кристаллах § 1.2. Распространение и поглощение упругих вола в кристаллах с дефектами 1.2.1. Феноменологическое описание 1.2.2. Макроскопический подход § 1.3. Спектр релаксации Глава 2. Анизотропия внутреннего трения и особенности дислокационного поглощении упругих волн в кристаллах при малых амплитудах деформации § 2.1. Ориентационная зависимость внутреннего трения в кристаллах § 2.2. Общие особенности анизотропии фона амплитудно-независимого внутреннего трения в кристаллах с учетом пространственно-временной дисперсии 2.2.1. Диссипация и перенос упругой энергии в анизотропной среде, обладающей пространственно-временной дисперсией 2.2.2. Указательные поверхности внутреннего трения § 2.3. Дислокационная теория анизотропного внутреннего трения 2.3.1. Тензор дислокационной податливости 2.3.2. Дислокационный механизм ориентационной зависимости внутреннего трения и дефекта упругих модулей в кристаллах § 2.4. Ориентационные факторы для различных систем скольжения полных дислокаций в ионных кубических кристаллах и гексагональных плотноупакованных металлах 2.4.1. Кубические кристаллы со структурой типа NaCl 2.4.2. Кубические кристаллы со структурой типа CsCl 2.4.3. Гексагональные плотноупакованные металлы § 2.5. Особенности дислокационного поглощения упругих волн в кристаллах при малых амплитудах деформации 2.5.1. Концепция обобщенных сил Пайерлса-Набарро 2.5.2. Внутреннее трение и дефект упругих модулей, обусловленные действием на дислокации обобщенных сил Пайерлса-Набарро § 2.6. Амплитудно-инвариантная зависимость между внутренним трением и дефектом модуля Юнга в кристаллах Глава 3. Условия реализации ультразвукового воздействии. Контроль за состоянием и концентрацией дефектов § 3.1. Составной пьезоэлектрический осциллятор 3.1.1. Теория метода двухсоставного пьезоэлектрического осциллятора 3.1.2. Установка для деформирования кристаллов ультразвуком, измерения внутреннего трения и дефекта модуля Юнга 3.1.3. Границы применимости и погрешности метода § 3.2. Метод вольт-амперных характеристик 3.2.1. Использование вольт-амперных характеристик составного осциллятора для контроля за изменением свойств кристаллов под действием ультразвука 3.2.2. Измерение внутреннего трения и дефекта модуля Юнга методом вольт-амперных характеристик 3.2.3. Определение стартовых напряжений дислокаций § 3.3. Поляризационно-оптический метод определения амплитуды механических напряжений при высокочастотных вибрациях 3.3.1. Области применении и возможности поляризационно-оптического метода 3.3.2. Теория метода 3.3.3. Установка для измерения in situ воля напряжений в кристаллах, деформируемых ультразвуком § 3.4. Температурное поле в образцах в процессе деформирования ультразвуком 3.4.1. Исследование температурного режима 3.4.2. Распределение температуры по поверхности образцов 3.4.3. Изменение температуры образца в зависимости от амплитуды ультразвука § 3.5. Об использованных методах исследования дефектов в кристаллах, деформированных ультразвуком 3.5.1. Методы визуализации дислокаций 3.5.2. Определение концентрации вакансий методом контрольного окрашивания Глава 4. Эволюция дислокационной структуры под действием ультразвука § 4.1. Перераспределение дислокационных петель по длинам § 4.2. Движение дислокаций под действием ультразвука § 4.3. Размножение дислокаций под действием ультразвука 4.3.1. Начальная стадия размножения дислокаций 4.3.2. Зависимости плотности дислокаций от времени действия, амплитуды и частоты ультразвуки 4.3.3. Зависимость динамического предела текучести от частоты § 4.4. Влияние анизотропии свойств кристаллов на размножение дислокаций под действием ультразвука 4.4.1. Определение действующих систем скольжения по данным ориентационной зависимости внутреннего трения в ионных кристаллах 4.4.2. Стартовые напряжения дислокаций в ионных кубических кристаллах 4.4.3. Системы скольжения, активирующиеся под действием ультразвука, в металлах с ГПУ структурой 4.4.4. Источники, генерирующие дислокации в базисной и пирамидальных плоскостях скольжения цинка Глава 5. Особенности генерации дислокации под действием ультразвуки § 5.1. Источники дислокаций и методы их моделирования § 5.2. Генерация дислокаций источником Франка-Рида под действием ультразвука. Модель и алгоритм § 5.3. Величины, характеризующие процесс генерации дислокаций источником Франка-Рида § 5.4. Генерация дислокационных петель под действием ультразвука 5.4.1. Способы образования замкнутых петель 5.4.2. Параметры, характеризующие процесс генерации петель под действием ультразвука § 5.5. Влияние постоянного во времени напряжения на работу источника Франка-Рида под действием ультразвука § 5.6. Начальная стадия формирования полосы скольжения под действием ультразвука Глава 6 . Электронно-микроскопические данные о дислокационной структуре кристаллов, деформированных ультразвуком § 6.1. Дислокационные структуры в кристаллах, деформированных ультразвуком § 6.2. Дислокационные диполи в массивных кристаллах в фольгах § 6.3. Границы блоков, наблюдавшиеся в кристаллах, деформированных ультразвуком § 6.4. Структура источников дислокаций, локализованных в границах блоков Глава 7. Концентрации точечных дефектов, введенных ультразвуком в щелочно-галоидные кристаллы § 7.1. Образование точечных дефектов при пластической деформации кристаллов в режиме активного нагружения § 7.2. Образование точечных дефектов ори знакопеременном нагружении кристаллов § 7.3. Закономерности изменения избыточной концентрации точечных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах, деформированных ультразвуком Глава 8. Изменение свойств кристаллов под действием ультразвуке § 8.1. Изменения физических свойств кристаллов, связанные с изменениями системы дислокации-точечные дефекты 8.1.1. Повышение прочности кристаллов по отношению к вибрационному воздействию. "Ультразвуковая тренировка" 8.1.2. Изменение фоточувствительности хлористого серебра под действием ультразвука с амплитудой σ° < σf ° 8.1.3. Влияние ультразвука на электрические свойства теллура § 8.2. Эффекты, Связанные с перераспределением дислокаций § 8.3. Необратимые изменения свойств ионных кристаллов, деформированных ультразвуком 8.3.1. Упрочнение и разупрочнение кристаллов при σ° ≥ σf° 8.3.2. Изменение светочувствительности хлористого серебра вод действием ультразвука при σ° ≥ σf° 8.3.3. Проводимость щелочно-галоидных кристаллов, деформированных ультразвуком § 8.4. Изменение упругих свойств щелочно-галоидных кристаллов под действием ультразвука 8.4.1. Степень пластической деформации образцов, деформированных ультразвуком 8.4.2. Изменение дефекта модуля Юнга кристаллов в процессе деформирования их ультразвуком Заключение Литература