Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии

Description

Пер. с англ. — М.:. Мир, 1984. — 475 с.: ил.Фундаментальная монография известного американского автора посвящена технологии получения полупроводникового кремния высокой чистоты, используемого для производства интегральных микросхем и полупроводниковых приборов различного назначения. Исследовано влияние дефектов и примесей на электрические свойства кристаллов кремния. Для специалистов в области материаловедения и производства полупроводниковых материалов и приборов.Предисловие редактора перевода. Предисловие. Благодарности. Методы получения кремния Получение поликристаллического кремния. Выращивание монокристаллов. Изготовление пластин. Изготовление приборов Окисление. Диффузия. Эпитаксия. Ионная имплантация. Литография. Травление. Металлизация. Последовательность изготовления приборов. Процессы дефектообразования в кремнии Выращивание кристаллов. Окисление. Диффузия. Эпитаксия. Ионная имплантация (ионное легирование). Методы исследования Электрические измерения. Химический анализ. Физические методы. Влияние дефектов на электрические свойства Влияние кристаллографических дефектов и примесей на перенос носителей. Влияние кристаллографических дефектов на р-д-переходы. Влияние кристаллографических дефектов на параметры биполярных транзисторов. Влияние кристаллографических дефектов на М0П-приборы. Интегральные схемы (ИС). Солнечные элементы. Бездефектная технология приборов Получение материала. Влияние технологических операций. Дефекты в приборах. Некоторые тенденции и перспективы Литература Предметный указатель