Электронная и ионная спектроскопия материалов и структур микро - и оптоэлектроники

Description

Учеб. пособие. – СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ". – 2011. – 80 с. ч/б скан 600 dpi, OCR.Дается краткий обзор современных аналитических методов элементного и химического анализа поверхностности, а также исследования концентрационных профилей по глубине. Основное внимание уделено физическим основам, принципам построения спектрометров, методическим особенностям проведения измерений и обработки информации методами электронной Ожеспектроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и массспектрометрии вторичных ионов. Предназначено для подготовки бакалавров и магистров, обучающихся по программам «Электроника и микроэлектроника», «Нанотехнологии и микросистемная техника» и «Электроника и наноэлектроника», а также научных работников, специализирующихся в области физики поверхности и границ раздела. Учебное пособие подготовлено в рамках выполнения проекта по разработке и апробации программы опережающей профессиональной переподготовки и учебно-методического комплекса, ориентированных на инвестиционные проекты по производству солнечных модулей на базе технологии «тонких пленок» Oerlikon, финансируемого Фондом инфраструктурных и образовательных программ.Оглавление Введение Электронная Оже-спектроскопия Физические основы метода Количественный анализ Послойный анализ Приборная реализация метода ЭОС Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия Физические основы метода Поглощение фотона и ионизация внутреннего уровня атома, эффекты начального состояния Генерация фотоэлектрона и релаксация атома (эффекты конечного состояния) Выход фотоэлектрона в вакуум (внешние эффекты) Количественный анализ Приборная реализация Вторичная ионная масс-спектрометрия Ионное распыление Ионно-ионная эмиссия Масс-спектрометрия вторичных ионов Приборная реализация Методические особенности ВИМС Список литературы