Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках

Description

В книге излагаются физические представления и основы теории процессов безызлучательной рекомбинации и термической ионизации электронов и дырок в полупроводниках. В частности рассмотрены: феноменологическая теория рекомбинации; теоретические модели мелких и глубоких центров; каскадная модель захвата на притягивающие центры; захват, ограниченный диффузией; многофононные процессы; оже-процессы; влияние постоянных и переменных электрических полей на процессы рекомбинации и термической ионизации. Кратко рассмотрены рекомбинационные процессы в полупроводниковых квантовых структурах. Результаты теории сопоставляются с экспериментальными данными. Для научных работников, преподавателей университетов, аспирантов и студентов. Титульный лист......Page 2 Введение......Page 3 1. Феноменологическая теория рекомбинации......Page 15 2. Структура примесных центров......Page 51 3. Каскадный захват носителей на изолированные притягивающие центры......Page 75 4. Захват носителей заряда при одноквантовых переходах......Page 93 5. Экспериментальные данные по захвату на притягивающие центры......Page 105 6. Взаимное влияние примесных центров......Page 117 7. Теория захвата, ограниченного диффузией......Page 129 8. Захват на отталкивающие центры......Page 136 9. Многофононный захват носителей заряда на глубокие центры и термическая ионизация......Page 142 10. Термоионизация и захват в электрическом поле......Page 200 11. Оже-рекомбинация......Page 232 12. Примесная оже-рекомбинация......Page 274 13. Захват носителей в гетероструктурах......Page 289 Приложения......Page 306 Список литературы......Page 353