Горлов, М. И. Современные диагностические методы контроля качества и надежности полупроводниковых изделий

Description

Заключение (испр 31.01.15)......Page 0 Глава 5 (испр 31.01.15)......Page 119 ИЗДЕЛИЙ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПРОНИКАЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ......Page 131 ГЛАВА 7......Page 153 Глава 8 (испр 31.01.15)......Page 187 Глава 9 (испр 31.01.15)......Page 232 Глава 10 _испр 31.01......Page 248 Глава 11 (испр 31.01.15)......Page 267 Неразрушающий метод определения напряжения локализации тока без введения МБТ в режим «горячего пятна» [14] основан на описанной в [15] теплоэлектрической модели, согласно которой тепловая составляющая коэффициента внутренней обратной связи по напряж.........Page 274 транзистора от температуры......Page 284 Обоснование способа измерения параметров МТИ. Тепловая задача для многоэлементной ЦИС при заданных начальных условиях сводится к решению системы дифференциальных уравнений вида......Page 287 Основными тепловыделяющими элементами выходного каскада ЛЭ (рис. 11.15) являются транзистор VT, диод VD и сопротивление R в цепи коллектора транзистора VT.......Page 290 Далее системы уравнений решались известными методами с использованием стандартных компьютерных программ. Усредненная по выборке ЦИС МТС, рассчитанная по результатам измерений, имеет следующий вид:......Page 291 Методика контроля качества ЦИС. Для оценки качества ЦИС по результатам измерения параметров МТС на представительной установочной выборке ЦИС стандартными методами определяют средние арифметические значения и их среднеквадратические отклонения (СКО) .........Page 292 Глава 12 (испр 31.01.15)......Page 297 Таблица. 12.2. Интегральные схемы, подлежащие отбраковке по выводу 4......Page 301 Глава 13 (испр 31.01.15)......Page 309 7. Сергеев В. А., Фролов И. В., Широков А. А., Низаметдинов А. М. Связь характеристик низкочастотного шума светодиодов с распределением концентрации примесей и плотности тока в гетероструктурах // Нелинейный мир. – 2013. ‒ №7. – С. 493–498.......Page 331 26. Chang M. H., Das D., 0T Varde0T P.V.,P P0TPecht0T M. Light emitting diodes reliability review // 0TMicroelectronics Reliability0T. – 2012. – №5. – P. 762–782.......Page 332 Глава 14 (испр 31.01.15)......Page 334 А1 + 3Сl( ( А1С13( + 3е......Page 341 Количество циклов......Page 345 Глава 15 (испр 31.01.15)......Page 353 Глава 16 (испр 31.01.15)......Page 375 Заключение (испр 31.01.15)......Page 406 Введ,Оглавл,1 глава (испр 31.01.15)......Page 1 Рис. 1.1. Методы неразрушающего контроля диагностических параметров [8]: СПХ – стандартные параметры и характеристики; ДФ – дестабилизирующие факторы (температура, изменение напряжения питания или нагрузки, электростатическое или радиационное воздействие и т. д.); МТР – микротоковые режимы; ИВАХ – интегральная вольт-амперная характеристика; НЗ – наведенный заряд; КНП – критическое напряжение питания; НЧШ – низкочастотный шум; АФДТП – анализ формы динамического тока потребления; ДТП – диагностика по тепловым параметрам......Page 16 глава 2 (испр 31.01.15)......Page 36 глава 3 (испр 31.01.15)......Page 54 и базового токов транзистора [13]......Page 76 Глава 4 (испр 31.01.15)......Page 83