Халькогениды цинка, кадмия и ртути

Description

М.: Металлургия, 1973. — 168 с.В сборник вошли работы по физико-химическому исследованию процессов получения халькогенидов цинка, кадмия и ртути, а также результаты изучения структурных дефектов, диффузии и самодиффузии в халькогенидах, состава пара над ними и поведения расплавов.СодержаниеПРАКТИКА ГЛУБОКОЙ ОЧИСТКИ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕСЕЙВанюков А.В., Макарова А.Н., Сыромятникова А.С., Ахматова Т.Т., Масленников В.А. К исследованию глубокой очистки металлов ректификациейВанюков А.В., Паремузов Е.П, Керножицкий В.К. Получение чистого селена через его оксихлоридЯковлева В.Г. Методы химико-аналитического контроля чистоты полупроводниковых соединений АIIВVI и исходных компонентовЯковлева В.Г., Дворцан А.Г., Малкина Э.И. Химико-спектральное определение примесей в сульфиде кадмияШашурин Ю.С. Определение микроколичеств золота и кадмия в амальгамах с использованием радиоактивных индикаторовМихайлов В.А., Голубцов В.В., Красулинa Б.С. Определение эффективных коэффициентов распределения меди и серебра в теллуриде кадмия высокой чистотыМихайлов В.А., Тихонов С.С., Семенова И.Б., Красулинa Б.С. Изучение поведения примесей при направленной кристаллизации теллурида кадмияФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯВанюков А.В., Офицеров А.А., Макарова А.Н., Сыромятникова А.С. Методика определения поверхностного натяжения металлов и сплавов с высокой упругостью паров в равновесных условиях и в условиях массопередачи через поверхность раздела фазИванов Ю.М., Ванюков А.В. Исследование сублимации халькогенидов кадмияИванов Ю.М., Каллер Я.А. Изучение испарения мышьяка и цинка из сплавов на основе кадмияВанюков А.В., Абрамов А.А., Лункина Г.А., Kузьмина С.Я., Горский В.В., Люкманов В.Б. Изучение парциальных давлений компонентов в системе Cd-Те методом оптического поглощенияКрасулин Г.А. Определение молекулярной массы пара и коэффициента испарения сульфида кадмияВанюков А.В., Андреев В.М., Менэелинцев Б.И. Изучение скорости испарения сульфида кадмия с помощью термомикроскопаДмитриева Н.В., Люкманов В.Б, Заитов Ф.А. Исследование диффузии компонентов и некоторых примесей в селениде и теллуриде кадмия радиоизотопным методомВанюков А.В., Быстров В.П., Лопаткина И.Л., Камьянов В.К., Фадин В.Г. Исследование структурно чувствительных физико-химических свойств расплавов системы ртуть-теллурЛопаткина И.Л., Быстров В.П. Влияние замещения ртути кадмием и цинком на физико-химические свойства расплава HgTeЛопаткина И.Л., Быстров В.П. Влияние замещения ртути кадмием и цинком на физико-химические свойства расплава HgTeЛопаткина И.Л., Быстров В.П., Ванюков А.В. Физико-химические свойства расплава HgSeБезбородова В.М., Бублик В.П., Столяров О.Г., Инденбаум Г.В. Определение области гомогенности HgSe по результатам измерений периода решётки и плотностиПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ И ПЛЕНОКВанюков А.В., Безбородова В.М., Инденбаум Г.В. Дефекты стехиометрии в селениде ртути и регулирование свойств кристаллов этого соединения в процессе выращивания из расплава и при последующем отжиге в парах компонентовИнденбаум Г.В., Безбородова В.М., Бойных Н.М. Зависимость субструктуры монокристаллов HgSe от условий их роста из расплаваЯковлева B.Г., Фигельсон Ю.А., Педос С.И., Бойных Н.М., Инденбаум Г.В. Химико-аналитический метод контроля состава кристаллов CdsHg1-xTe и метод выявления неоднородности состава этих кристаллов с помощью металлографического наблюдения картины травленияВанюков А.В., Кротов И.И. Физико-химическая оценка параметров процесса выращиваниия пленок полупроводниковых соединений АIIВVI методом кристаллизации из пapo-газовой фазы в проточных системахВанюков А.В., Красулин Г.А., Миацаканян Н.Т., Токмаков В.В. Распределение пересыщения паровой фазы вдоль зоны осаждения при выращивании пленок сульфида кадмия газотранспортным методом в потоке водородаКрасулин Г.А., Данилов А.А., Семушкин В.П. Прямое вакуумное осаждение пьезоэлектрических пленок сульфида и селенида кадмияГройс А.Ш. Подвижность электронов как критерий совершенства кристаллов типа АIIВVIВанюков А.В., Инденбаум Г.В., Бароненкова Р.П., Юхтанов Е.Д., Меньшенин Ю.А. Дислокационная субструктура кристаллов CdTe, полученных вертикальной зонной плавкойБароненкова Р.П., Инденбаум Г.В., Ванюков А.В. Изменение дислокационной субструктуры CdTe при отжиге