Гетероструктурная наноэлектроника

Description

Учебное пособие. — М.: Изд. Дом МИСиС, 2009. — 155 с.Пособие посвящено анализу нового направления электроники – гетероструктурной наноэлектронике. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией и охватывающего разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Даны примеры реализации полевых и биполярных транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV с субмикронными размерами активных областей. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием фотоприемников и источниковизлучения в диапазоне длин волн 1,3…1,5 мкм.Предназначено для студентов, обучающихся по специальности «Микроэлектроника и твердотельная микроэлектроника» и направлению «Электроника и микроэлектроника».ВведениеНовое направление полупроводниковой электроники – гетероструктурная наноэлектроникаБиполярные гетеротранзисторы на основе Si/GeхSi1–x и AIIIBVБиполярный транзистор. Общая характеристикаЭнергетическая диаграмма идеального гетеропереходаПринцип действия биполярного гетеротранзистораБиполярные гетеротранзисторы на Si/GexSi1–xУглеродное ограничение профиля бора в базе SiGe-БГТБиполярные гетеротранзисторы на AIIIBVБиполярные гетеротранзисторы на основе нитридов III группыСравнение достигнутых результатов с теоретическими оценкамиПолевые гетеротранзисторы на АIIIBVПсевдоморфные AlGaAs/InGaAs PHEMT на GaAsInP НЕМТ и метаморфные GaAs МНЕМТHEMT с каналами из InAs и InSbПолевые гетеротранзисторы на материалах АIIINКвантоворазмерные структуры и их применениеКвантовые точки Ge/SiКвантовые точки в системе InAs/GaAsМеханизмы формирования гетероэпитаксиальныхструктур с квантовыми точкамиСамоорганизация при эпитаксииТеоретические представления о достиженииравновесного состояния в системе гетеронаноостровковПриборы на основе использования массивов квантовых точекФотоприемники на основе квантово-размерных структурЛазерные структуры на квантовых точкахПолупроводниковые нанотрубкиЗаключениеБиблиографический список