RUSSIAN

Получение и характеризация альтернативных диэлектриков на основе HfO2 для наноэлектроники нового поколения

By Смирнова Т.П. , Кузнецов Ф.А. , Яковкина Л.В. , Каичев В.В. , Косяков В.И. , Лебедев М.С. , Кичай В.Н.

Book information

Language
russian
Format
PDF
Filesize
213 kB (217976 bytes)
Pages
\3
Library
twirpx
Time added
2017-08-07 07:01:42
Специальные дисциплины;Наноматериалы и нанотехноло

Description

М.: ИНХ им. Николаева А.В. СО РАН, ИК им. Борескова Г.К. СО РАН, 2010. — 3 с.Аннотация: К настоящему времени практически достигнута предельная степень интеграции электронных микросхем на основе композиции Si/SiO2. Дальнейшая миниатюризация требует замены используемых материалов. Так, в качестве подзатворного диэлектрика оксид кремния необходимо заменить на материал с большим значением коэффициента диэлектрической проницаемости, так называемый «high-k»-диэлектрик.

Similar books