Дрейфовые транзисторы

Description

Обложка 1 Обложка 2 Титульный Аннотация Содержание Выходные данные Предисловие Принятые обозначения Глава первая. Понятие о бездрейфовых и дрейфовых транзисторах Г лава вторая. Технология изготовления дрейфовых транзисторов 2.1. Диффузия применен в твердый полупроводник 2.2. Изготовление р-п перехода методом диффузии примесей в полупроводник 2.3. Методы изготовления высокочастотных дрейфовых транзисторов 2.4. Расчет распределения примесей в базе и коллекторном переходе дрейфового транзистора Глава третья. Теория дрейфового транзистора 3.1. Основные допущения 3.2. Электрическое поле в базовой области. Уравнение переноса носителей дрейфового транзистора 3.3. Решение уравнения переноса носителей дрейфового транзистора 3.4. Матрица проводимости теб'ретической модели дрейфового транзистора Глава четвертая. Частотные свойства дрейфового транзистора 4.1. Частотная зависимость коэффициента передачи дрейфового транзистора 4.2. Расчет предельной частоты коэффициента переноса дрейфового транзистора при постоянной подвижности носителей в базе 4.3. Предельная частота коэффициента переноса при переменной подвижности носителей в базовой области 4.4. Расчет предельной частоты реального транзистора 4.5. Расчет соотношения предельных частот теоретической модели и реального транзистора при известной предельной частоте реального транзистора 4.6. Время переноса дырок через коллекторный переход и его влияние на частотные свойства транзистора 4.7. Максимальная частота усиления по току-дрейфового транзистора Глава пятая. Эквивалентная схема дрейфового транзистора 5.1. Введение 5.2. П-образная эквивалентная схема теоретической модели дрейфового транзистора ц 6.3. П-образная эквивалентная схема дрейфового транзистора 5.4. Т-образная эквивалентная схема дрейфового транзистора 5.5. Низкочастотная эквивалентная схема дрейфового транзистора 5.6. Емкости переходов дрейфового транзистора Глава шестая. Работа дрейфового транзистора в импульсном режиме 6.1. Особенности импульсного режима транзисторов 6.2. Коэффициент передачи тока дрейфового транзистора при большой плотности тока 6.3. Переходная характеристика дрейфового транзистора 6.4. Длительность переходных процессов дрейфового транзистора 6.5. Влияние емкостей переходов на переходные процессы в транзисторе Глава седьмая. Влияние температуры на физические параметры дрейфовых транзисторов 7.1. Общие сведения 7.2. Концентрация основных и неосновных носителей в базе дрейфового транзистора в диапазоне температур 7.3. Температурная зависимость подвижности носителей 7.4. Температурная зависимость времени пролета носителей и предельной частоты дрейфового транзистора 7.5. Температурная зависимость проводимости слоя полупроводника 7.6. Температурная зависимость времени жизни неосновных носителей в базе 7.7. Диффузионная длина дырок 7.8. Температурная зависимость параметров дрейфовых триодов, изготовленных из высокоомного германия Глава восьмая. Влияние температуры на параметры эквивалентной схемы дрейфового транзистора 8.1. Предварительные замечания 8.2. Температурные зависимости активных сопротивлений базы и коллекторной области 8.3. Температурная зависимость емкостей переходов 8.4. Влияние температуры на коэффициент передачи тока на высоких частотах 8.5. Влияние температуры на максимальную частоту генерации дрейфового транзистора 8.6. Температурные зависимости низкочастотных параметров дрейфовых транзисторов 8.7. Расчет влияния температуры на параметры высокочастотной эквивалентной схемы дрейфового транзистора 8.8. Температурная зависимость параметров постоянного тока 8.9. Сравнение температурных свойств дрейфовых и бездрейфовых транзисторов Приложение. Технические данные отечественных транзисторов дрейфового типа (П401 — П403А, П410 — П411, П414 — П415Б, П416 — П416Б) Литература