RUSSIAN

Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения

By Таперо К.И. , Улимов В.Н. , Членов А.М.

Book information

Publisher
Издательство "Лаборатория знаний" (ранее "БИНОМ. Лаборатория знаний")
Year
2014
ISBN
9785996325276
Language
russian
Format
PDF
Filesize
5 MB (4941973 bytes)
Edition
2
Pages
307\307
Time added
2017-04-20 00:00:00
Инженерно-технические науки;Электроника и радиотех

Description

В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO 2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц. Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.

Similar books