Химические технологии в производстве микроэлектромеханических систем

Description

Рассмотрены основные положения общей и физической химии в технологических процессах интегральных микросхем и микро-электромеханических систем. Основное внимание уделено химическим процессам в серийном производстве микро-наноэлементов, материалам и оборудованию, обеспечивающего данные процессы. Приводятся конкретные технологические процессы химической подготовки и обработки технологических слоёв и их особенности в серийном производстве. Учебное пособие предназначено для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям подготовки бакалавриата и магистратуры «Электроника и наноэлектроника», «Конструирование и технология электронных средств». ВВЕДЕНИЕ ГЛАВА 1. ОСНОВНЫЕ КОМПОНЕНТЫ ХИМИЧЕСКИХ ТЕХНОЛОГИЙ 1.1. Деионизованная вода 1.1.1. Требования к качеству деионизованной воды 1.1.2. Получение деионизованной воды 1.1.3. Транспортировка и распределение деионизованной воды 1.1.4. Контроль качества деионизованной воды 1.2. Химреактивы 1.2.1. Требования к качеству химреактивов 1.2.2. Хранение, расфасовка и транспортировка химреактивов 1.2.3. Фильтрация химреактивов 1.2.4. Способы контроля примесей в химреактивах 1.2.5. Методы контроля основного вещества в технологическом растворе 1.3. Технологические газы ГЛАВА 2. ХИМИЧЕСКАЯ ОЧИСТКА ПОВЕРХНОСТИ 2.1. Типы и виды загрязнений подложек и технологических слоев 2.2. Методы контроля поверхностных загрязнений и качества химической очистки поверхности 2.3. Традиционные методы удаления загрязнений с поверхности подложек и технологических слоев 2.4. Химическая обработка поверхности пластин 2.4.1. Химическая очистка поверхности кремния и оксида кремния 2.5. Последовательность применения технологических растворов для очистки веществ 2.6. Очистка химически активных поверхностей 2.7. Удаление фоторезиста 2.7.1. Удаление фоторезиста в органических растворителях 2.7.2. Удаление фоторезиста в кислотных составах 2.7.3. Удаление фоторезиста в щелочных составах ГЛАВА 3. ХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ 3.1. Травление кремния 3.1.1. Травление кремния в смеси азотной и плавиковой кислот 3.1.2. Травление кремния в щелочных растворах 3.1.3. Использование травления для выявления дефектов кремниевых подложек 3.2. Травление диоксида кремния 3.3. Травление нитрида кремния 3.3.1. Назначение пленок Si3N4 в техпроцессе изготовления интегральных микросхем 3.3.2. Удаление нитрида кремния с поверхности кремниевых пластин 3.3.3. Травление нитрида кремния в ортофосфорной кислоте 3.4. Травление тонких металлических пленок 3.4.1. Травление алюминия и его сплавов 3.4.2. Травление хрома 3.4.3. Травление меди и ее сплавов 3.4.4. Травление никелевых слоев 3.4.5. Травление пленок ванадия 3.4.6. Травление многослойных покрытий 3.5. Электрохимическое травление пленок металлов 3.6. Плазмохимическое травление ГЛАВА 4. ХИМИЧЕСКОЕ НАНЕСЕНИЕ ПЛЕНОК 4.1. Химическое осаждение пленок металла 4.2. Электрохимическое осаждение металлов и сложных полупроводников 4.3. Осаждение из парогазовой фазы 4.3.1. Газофазная эпитаксия ЛИТЕРАТУРА