Полупроводниковые наногетероструктуры с промежуточной энергетической подзоной

Description

Рассмотрены физические свойства и закономерности формирования полупроводниковых наногетероструктур с промежуточной подзоной. Представлены механический и термодинамический подходы к описанию самоорганизованного роста в процессе релаксации механически напряженных гетеросистем с различающимися параметрами кристаллических решеток. Описаны методы получения и аналитические методики исследования свойств полупроводниковых наноструктур. Основное внимание уделено новому перспективному ростовому методу — ионно-лучевой кристаллизации. Проведены исследования массопереноса и закономерностей формирования гетероструктур с квантовыми точками, полученных ионно-лучевой кристаллизацией. Развит математический аппарат функций Грина и получены данные о распределении механических напряжений в нанослоях, содержащих включения кубической, гексагональной и пирамидальной форм для гетеросистем InAs/GaAs(111), InN/AlN(0001), InAs/GaAs(001). Проведено моделирование, выращены и измерены характеристики прототипов фотоэлектрических преобразователей с промежуточной энергетической подзоной для прямозонных и непрямозонных наногетеросистем. Книга предназначена научным и инженерно-техническим работникам, специализирующимся в области физики и технологии полупроводниковой оптоэлектроники.