RUSSIAN

Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов

By Терещенко О.Е. , Паулиш А.Г. и др.

Book information

Language
russian
Format
PDF
Filesize
504 kB (515999 bytes)
Pages
\10
Library
twirpx
Time added
2017-08-07 07:01:42
Физика;Физика твердого тела

Description

Письма в ЖТФ - 2012 - том 38, вып. 1 - с. 27-36.Изучены условия формирования границы раздела Fe/GaAs, а также электрические, магнитные и оптические свойства гетероструктуры Pd/Fe/GaAs с квантовыми ямами InGaAs. Продемонстрирована возможность эпитаксиального роста Fe на поверхности GaAs(001) при комнатной температуре. Кривая намагниченности слоя железа имеет прямоугольную петлю гистерезиса с легкой осью намагниченности в плоскости образца. Обнаружена сегрегация железа через слой палладия толщиной 4 nm. Оптические свойства гетероструктуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs указывают на возможность использования такой структуры в качестве оптического детектора спина свободных электронов.

Similar books