Фрустрированные магнитные наноструктуры

Description

В предлагаемой читателю книге рассмотрены многослойные магнитные наноструктуры, нашедшие широкое применение в считывающих головках жестких дисков и лежащие в основе перспективной магниторезистивной памяти. Показано, что в многослойной системе ферромагнетик– антиферромагнетик поведение магнитных параметров порядка в слоях нанометровой толщины во многом определяется фрустрациями, возникающими на границах раздела слоев. Предсказаны новые типы доменных стенок, порождаемых фрустрациями обменного взаимодействия. Построены фазовые диаграммы «толщина слоя (слоев)–шероховатость» тонкой пленкиферромагнетика на антиферромагнитной подложке и спин-вентильной системы ферромагнетик–антиферромагнетик–ферромагнетик с учетом энергии одноионной анизотропии. Обнаружено, что благоприятным для появления обменного сдвига в системе ферромагнетик–антиферромагнетик является наличие взаимно-перпендикулярных легких осей, лежащих в плоскости слоев. Кроме этого, либо должно существовать связанное состояние доменной стенки на границе раздела, либо должен иметь место пиннинг доменной стенки дефектами кристаллической решетки в антиферромагнетике вблизи границы с ферромагнетиком. Для научных работников и специалистов в области магнитоэлектроники и магнитных наноструктур.