GERMAN

Silizium-Halbleitertechnologie

Book information

Publisher
Vieweg+Teubner Verlag
Year
2002
ISBN
978-3-519-20149-6, 978-3-322-94119-0
DOI
10.1007/978-3-322-94119-0
Language
german
Format
PDF
Filesize
12 MB (12067720 bytes)
Series
Silizium-Halbleitertechnologie
Edition
3., überarb. u. erg. Aufl.
Pages
XIII, 309S. 157 Abb..\320
Orientation
yes
Scanned
yes
Time added
2013-08-01 04:00:00

Description

Die Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchf?hrung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen gen?gen m?ssen, um die geforderten Strukturgr??en bis zu wenigen 100 nm gleichm??ig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, ?tzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen, sowie die maschinellen Voraussetzungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht der Schaltungshersteller erl?utert. Zur ?berpr?fung des Verst?ndnisses sind ?bungsaufgaben zu den einzelnen Themen eingegliedert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchf?hrung der Einzelprozesse, die zur Integrationstechnik zusammengef?hrt werden. Es richtet sich an Studierende der Fachrichtungen Elektronik, Elektrotechnik, Mikrotechnologie, Informatik und Physik, sowie an alle, die einen Einblick in die Herstellungstechnik f?r mikroelektronische Bauelemente gewinnen wollen. Die ?berarbeitete und erg?nzte 3. Auflage enth?lt zus?tzliche Abschnitte zur Fotolithografie, zur ?tztechnik und zum chemisch-mechanischen Polieren.

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