RUSSIAN

Фазы внедрения в технологии полупроводниковых приборов и СБИС

By Агеев О.А. , Беляев А.Е. , Болтовец Н.С. , Конакова Р.В. , Миленин В.В. , Пилипенко В.А

Book information

Language
russian
Format
PDF
Filesize
12 MB (12097882 bytes)
Pages
\392
Library
twirpx
Time added
2017-08-07 07:01:42
Приборостроение;Физические основы электроники (ФОЭ

Description

Настоящая коллективная монография содержит теоретические и экспериментальные результаты по использованию ряда силицидов, нитридов и боридов тугоплавких металлов в технологии формирования контактов для полупроводниковых приборов и СБИС. Авторы, опираясь на собственные исследования и литературные данные, на конкретных примерах показывают перспективность использования фаз внедрения (TiNx, TiBx, ZrBx, NbNx) для создания контактов к широкозонным полупроводникам (GaP, SiC, GaN). Значительное место в монографии уделено применению силицидов в технологии СБИС и для формирования омических контактов к карбиду кремния, а также межфазным взаимодействиям в многослойных контактных системах к Si, GaAs и InP приборным структурам.Монография рассчитана на широкий круг специалистов в области физики и технологии полупроводниковых приборов, а также студентов и аспирантов соответствующих специальностей.

Similar books