Халькогениды и оксиды элементов IV группы. Получение, исследование, применение

Description

Александрова О.А., Максимов А.И., Мошников В.А., Чеснокова Д.Б.Под ред. В. А. Мошникова. - СПб.: Технолит, 2008. - 240 с. - ISBN 5-7629-0908-5Монография подготовлена в рамках выполнения инновационного образовательного проекта СПбГЭТУ "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина) "Программа подготовки специалистов для приоритетных высокотехнологичных отраслей инновационной экономики страны".Рассмотрены особенности формирования халькогенидов элементов IV группы. Отражены результаты исследований физико-химических и электрофизических свойств полупроводниковых фаз на основе халькогенидов и оксидов элементов IV группы. Приведены особенности формирования нанофаз в этих материалах при создании приборов и структур, а также отражена специфика их применения в современной микро- и наноэлеткронике.Предназначено специалистам, работающим в областях твердотельной электроники, микро- и наноэлеткроники, микро- и наносистемной техники, сенсорики, а также может быть полезно аспирантам и студентам направлений "Электроника и микроэлектроника" и "Нанотехнология".Подготовлено в рамках инновационной магистерской программы "Физика и технология нано- и микросистем"Общие теоретические представления о фазах переменного составаИсторическая справкаОсновы физико-химического анализаПрогнозирование полупроводниковых свойств в многокомпонентных системахКристаллохимическое приближение фаз переменного составаГраницы применимости модельных представленийКонцепция полупроводниковых гетероструктур в современном материаловеденииО классе сильнонестехиометрических соединенийОсобенности физических свойств халькогенидов свинца и олова и их примение для ИК-техникиЭффект инверсии зон в твердых растворах на основе полупроводников А2В6 и А4В6Сравнение свойств узкозонных полупроводников А2В6 и А4В6Кристаллическая структура и электрофизические свойства узкозонных полупроводников А4В6 и твердых растворовна их основе Иижекционные лазеры на квантово-размерных структурах Научные и технические применения устройств на основе халькогенидов элементов IV группыЛокальная метрика состава твердых растворов на основе халькогенидов свинцаРентгеноснектральный микроанализРентгеноснектральный микроанализ полупроводниковых твердых растворов методом Монте-КарлоНестационарный термозондовый метод как локальный метод анализа электрофизических свойств ПТРМетрологические характеристики НТМАнализ концентрационной зависимости коэффициента термо-ЭДСМетодика анализа состава нанофаз методом внутреннего тренияУправление типом и концентрацией собственных точечных дефектов структуры и свободных носителей заряда в кристаллических фазахТепловое разупорядочение в кристаллахИсследование термодинамических и кинетических условий образования и диффузии собственных точечных дефектов в твердых растворах Pb1-xSnxTeИзменение концентрации носителей заряда внутри области гомогенности в зависимости от условий термообработки кристалловОсновные соотношения, описывающие равновесие собственных дефектов в кристаллах (Pb1-xSnx)1-yТey с паромРасчет диаграммы P-T-концентрация носителей заряда для системы Pb-Sn-TeОпределение параметров диффузионных отжиговВлияние диффузии СДТС на свойства слоев Pb1-xSnxTe, полученных методами жидкофазной и газофазной эпитаксииМоделирование условий выращивания p-n-структур методом жидкофазной эпитаксииМоделирование условий выращивания p-n-структур методом газофазной эпитаксииНанопорошки и наноструктурированные поликристаллические материалы на основе халькогенидов свинца и оловаЙодидный метод синтеза халькогенидов элементов IV группыМодель самолегирования SnTe оловом при йодидном методе полученияФизико-химические основы наноструктурирования поликристаллических слоев халькогенидов свинцаПолучение и исследование наноструктурированных поли кристаллических слоев на основе PbSe для целей ИК-оптоэлектроникиВлияние примесей на кинетику термического окисления поликристаллических слоев PbSe и электрофизические свойства этих слоевСканированая копия 200dpi.