RUSSIAN

Определение концентрации Ge в эпитаксиальных пленках SixGe1-x/Si методом Оже-спектроскопии: Описание лабораторной работы

By Максимов Г.А. , Николичев Д.Е. , Канышина М.В.

Book information

Publisher
ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Year
2002
Language
russian
Format
PDF
Filesize
1 MB (1418176 bytes)
Pages
40\40
Library
http://window.edu.ru/
Time added
2011-04-06 12:16:06

Description

В данной лабораторной работе рассматриваются физические основы метода Оже-спектроскопии и его применение для определения элементного состава поверхности полупроводниковых гетероструктур. Предназначено для студентов старших курсов и магистратуры физического факультета, обучающихся по специальностям ''Микроэлектроника и полупроводниковые приборы'' и ''Физика полупроводников. Микроэлектроника'', направление специализации - ''Физика твердотельных наноструктур''. Пособие подготовлено в рамках работ по проекту ''Научно-образовательный центр Физика твердотельных наноструктур Нижегородского государственного университета им. Н.И.Лобачевского'' Российско-американской программы ''Фундаментальные исследования и высшее образование''

Similar books