Измерение давления высокотемпературных сред

Description

Статья. Опубликована в Тезисы докладов IX Международного научно-технического семинара Разработка, производство, применение и метрологическое обеспечение средств измерения давления и вакуума. С.-Петербург, 23-25.11.2004г. С.-Пб, ВНИИМ, 2004, с.54-56. Использование полупроводниковых чувствительных элементов (ПЧЭ) на основе структур «кремний на сапфире» (КНС) в тензопреобразователях (ТП) давления позволяет в принципе проводить измерения при температуре ПЧЭ, достигающей 500-600 оС, когда начинается заметная пластическая деформация кремния. Опыт показывает, что нелинейность мембранных ТП давления с ПЧЭ на основе КНС практически не зависит от температуры и может быть сделана не более 0,1%. Вариация и повторяемость ТП также слабо зависят от температуры, так что если определять точность ТП (в соответствии с западными стандартами) как сумму нелинейности, вариации и повторяемости, то для ТП с ПЧЭ на основе КНС эта величина обычно лежит в пределах 0,2-0.5% вплоть до температуры 350 оС. Однако реальная точность измерения давления определяется не только указанными параметрами. В частности, поскольку датчики давления высокотемпературных сред работают в широком диапазоне температур, а температурная зависимость параметров ТП с ПЧЭ на основе КНС (начального выходного сигнала и чувствительности) достаточно велика, особое значение для таких датчиков приобретает проблема коррекции температурной погрешности измерения.