Атомная диффузия в полупроводниках

Description

Исключительное значение диффузии в технологических процессах для изучения поведения примесей и дефектов в кристаллах определяет все возрастающий интерес к ней в последние годы. Эта книга обобщает результаты исследования разных проблем диффузии в полупроводниках. Помимо экспериментальных данных, относящихся к различным полупроводникам, в ней большое внимание уделяется микроскопической кинетике диффузии и рассматривается ряд специальных вопросов, например влияние на диффузию отклонения состава соединений от стехиометрического.Эта книга будет полезна для развития материаловедческих работ и несомненно заинтересует научных работников, студентов, аспирантов, инженеров и техников, работающих в области получения, исследования и применения различных полупроводниковых соединений, специалистов по радиоэлектронике и металловедению.Первая глава служит, по-существу, развернутым введением к последующему содержанию книги. В ней даны некоторые формальные определения коэффициентов диффузии, атомных и электронных дефектов в кристаллах, а также основные молекулярные модели процессов атомной миграции и их феноменологическое описание. Более подробно анализируется диффузия примесей в разбавленном растворе.Во второй главе обсуждаются возможности и результаты теоретического расчета параметров диффузионных уравнений, в основном, методами квантовой механики и квантовой статистики. Видная роль в этих расчетах отводится оценке энергии образования дефектов кристаллической решетки.Третья глава посвящена термодинамике фазовых равновесий с участием кристаллов полупроводников, а также термодинамическому анализу стационарных состояний в процессах выращивания кристаллов из расплава и пара.В четвертой главе описывается экспериментальная техника, применяющаяся при изучении диффузии в полупроводниках. Основное внимание здесь обращено на теорию методов и анализ возможных погрешностей, а не аппаратурное оформление экспериментов.В четырех последних главах описываются конкретные результаты исследования диффузии в кремнии и германии (гл. 5), в соединениях III-й и V-й групп (гл. 6), в халькогенидах цинка, кадмия и свинца (гл. 7) и в окисных полупроводниках (гл. 8).Обзор фактических данных сопровождается здесь подробным анализом возможных механизмов процесса. При этом авторы, как правило, не ограничиваются каким-либо одним механизмом, «удовлетворительно описывающим экспериментальные данные», а показывают варианты объяснения одних и тех же явлений на языке различных молекулярных моделей. В этом заключается одно из достоинств книги.