RUSSIAN

Электронные свойства дислокаций в полупроводниках

Book information

Publisher
Эдиториал УРСС
Year
2000
ISBN
5-8360-0068-9
Language
russian
Format
DJVU
Filesize
4 MB (4073832 bytes)
Pages
311\312
Library
rffi
Time added
2012-05-05 05:00:00

Description

Данную книгу можно считать первым в мировой практике изданием, в котором на современном уровне представлены электронные свойства дислокации в полупроводниках Ge и Si и в полупроводниковых соединениях A2B6. Книга выполнена в виде нескольких обзорных статей, написанных академиком Ю.А.Осипьяном совместно с его учениками, являющимися ведущими специалистами в области физики дислокации в полупроводниках. В книге проведено систематическое изложение современных данных по влиянию дислокации на электронный энергетический спектр, электрические и оптические характеристики полупроводников. Подробно рассмотрено взаимодействие дислокации с другими дефектами и примесями. Книга предназначена для научных сотрудников и инженеров, специализирующихся в области физики твердого тела, а также для преподавателей, аспирантов и студентов соответствующих специальностей. Титульный лист......Page 2 Об авторе......Page 3 Предисловие......Page 6 Введение......Page 9 1. Основы ЭДСР в одномерной системе......Page 15 2. ЭДСР дырок на расщепленных 60 гр. дислокациях в Si......Page 20 3. ЭДСР электронов на дислокациях Ломера......Page 35 4. Спин-зависимые эффекты в рекомбинации на дислокациях......Page 46 Заключение......Page 55 Литература......Page 56 1. Теоретические предпосылки......Page 59 2. Проводимость свободными носителями тока в пластически деформированном германии......Page 65 3. Фотопроводимость пластически деформированного германия......Page 78 4. СВЧ-проводимость в кристаллах с дислокациями......Page 86 5. Статическая дислокационная проводимость в германии и кремнии......Page 92 6. Точечные дефекты в пластически деформированном германии......Page 114 Заключение......Page 121 Литература......Page 122 Введение......Page 128 1. Пространственная ориентация: поляризационные и пьезоспектроскопические исследования ДФЛ......Page 129 2. Тонкая структура спектров ДФЛ в кремнии и германии и ее связь с величиной расщепления 60 гр. дислокаций. Проявление одномерности......Page 132 3. Температурная зависимость и квантовый выход ДФЛ в кремнии......Page 139 4. Влияние примесей и образование комплексов примесь-дислокация......Page 143 Заключение......Page 148 Литература......Page 149 Введение......Page 152 1. Структура сфалерита (класс T d )......Page 154 2. Структура вюрцита (класс С 6в )......Page 157 3. Расщепление дислокаций......Page 163 Литература......Page 166 Введение......Page 168 1. Структура и физические свойства соединений группы II-IV......Page 170 2. Дислокации в кристаллах, подвергнутых пластической деформации......Page 174 3. Оптические переходы вблизи дислокаций и на них......Page 191 4. Модели дислокационного заряда......Page 192 5. Движение дислокаций......Page 204 6. Фотопластический эффект......Page 210 7. Инжекционно-пластический эффект......Page 222 8. Влияние рентгеновского излучения на пластическую деформацию соединений II-IV......Page 224 9. Обратимое возбуждение электронной подсистемы движущимися дислокациями......Page 228 Заключение......Page 233 Литература......Page 235 1. Заряды дислокаций в кристаллах сульфида цинка......Page 240 2. Поверхностная деформационная электролюминесценция кристаллов ZnS......Page 250 3. Взаимодействие движущихся дислокаций с центрами люминесценции в кристаллах сульфида и селенита цинка......Page 253 4. Взаимодействие дислокаций с мелкими электронными центрами и эффекты увлечения носителей движущимися дислокациями......Page 257 Заключение......Page 261 Литература......Page 262 Введение......Page 263 1. Природа ДИ и структура дислокационных петель в пластически деформированных кристаллах CdS......Page 266 2. Пьезоспектроскопия дислокационного излучения......Page 270 3. Динамика винтовых дислокаций......Page 282 4. Исследование поляризации ДИ......Page 286 Заключение......Page 292 Литература......Page 293 Введение......Page 294 1. Спектральная особенность поглощения света дислокациями в деформированном сульфиде кадмия......Page 295 2. Фокусировка и рассеяние света дислокациями и их спектральные аномалии......Page 297 3. Оптические дифракционные явления на периодических cвepx- структурах кристаллических дефектов......Page 302 4. Некоторые возможности оптических применений кристаллов с регулируемыми структурами дефектов......Page 308 Литература......Page 311

Similar books