Математическое моделирование процессов выращивания кристаллических полупроводниковых материалов

Description

Киев : Наукова думка, 1988.- 184 с., ISBN 5-12-009333-7, OCR.Излагаются теория и методы расчета процессов переноса тепла и массы вещества в системах с фазовыми переходами. В первой части рассмотрены математические основы моделирования задач кристаллизации. Приведена постановка задачи Стефана, введены понятия классического и обобщенного решения, систематизированы и описаны аналитические и численные методы моделирования. Во второй части содержатся краткие сведения о некоторых технологиях выращивания эпитаксиальных слоев и монокристаллов из раствора-расплава, сделан обзор существующих способов управления процессами и сформулированы проблемы, возникающие при промышленном производстве полупроводников. На примере нескольких технологий проиллюстрировано применение теории моделирования к конкретным процессам. Приведены разработанные авторами математические модели для расчета законов изменения управляющих воздействий на эти технологии, проанализированы результаты вычислительных экспериментов, послуживших основой создания новых методик управления технологическими процессами.Для инженеров, научных сотрудников, занимающихся вопросами разработки и решения задач теории поля, а также аспирантов и студентов вузов соответствующих специальностей.ОГЛАВЛЕНИЕПредисловиеМАТЕМАТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫПостановка задачиОсновные уравненияУравнение баланса теплаУравнение баланса массыКлассическое решениеОбобщенное решениеОбратная задачаАналитические методы решенияТочное решениеВариационные методыИнтегральный методСведение к обыкновенным дифференциальным уравнениямМетод интегральных преобразованийСведение к интегральным уравнениямМетоды итерации и многоугольной аппроксимации свободных границМетод возмущенийСравнение методовЧисленные методы решенияМетод конечных разностейСхемы с переменным шагом по времениСхемы с выпрямлением фронтовКомбинированные явно-неявные схемыСхемы со сглаживанием для задач с изотермическим фазовым переходомСхемы со сглаживанием для задач с неизотермическим фазовым переходомМетод срезкиМетод конечных элементовСравнение методовМОДЕЛИ И АЛГОРИТМЫТехнологические процессыПолучение пленочных материаловПолучение монокристалловСпособы управленияМоделирование процессов жидкостной эпитаксииУправление охлаждениемМассоперенос в расплавеМоделирование выращивания пленок алюминий-галлий-мышьякУчет предварительного подплавления подложкиУправление процессами кристаллизации в ампулеОпределение скорости вращения ампулыМоделирование процессов выращивания монокристаллов по ЧохральскомуЗатравление кристаллаРазращивание кристалла и стабилизация диаметраУправление комплексом параметровЗаключениеСписок литературы