Многослойные тонкопленочные магниторезистивные элементы

Description

Тула: Институт проблем управления РАН, 2001, 188 с.; илл. ISBN 5-8125-0098-3.В книге рассмотрены физические основы и вопросы практической реализации многослойных тонкопленочных магниторезистивных элементов: запоминающих элементов, датчиков магнитного поля, гальванических развязок и спиновых транзисторов. Большое внимание уделено принципам действия и конструкциям элементов, приведены их теоретические характеристики. Проанализировано состояние дел в мире с разработкой и выпуском подобных элементов. Книга рассчитана на научных работников, инженеров и аспирантов, работающих в области микро- и наноэлектроники, физики магнитных и полупроводниковых явлений.Введение. Физические основы работы многослойных тонкопленочных магниторезистивных элементов. Виды магниторезистивного эффекта. Параметры магниторезистивных структур. Анизотропные структуры. Спин-вентильные структуры. Спин-туннельные переходы. Методы анализа магниторезистивных элементов. Метод определения и анализа статических характеристик элементов. Метод определения и анализа динамических характеристик элементов. Технологические методы создания элементов. Экспериментальное исследование элементов. Магниторезистивные запоминающие элементы. Способы управления и области работоспособности. Динамические характеристики запоминающих элементов. Запоминающие устройства с произвольной выборкой. Тонкопленочные магниторезистивные датчики магнитного поля. Однослойные датчики магнитного поля. Многослойные датчики магнитного поля. Особенности электронного обрамления. Приборы с магниторезистивными датчиками. Новые виды многослойных тонкопленочных магниторезистивных элементов. Логические элементы. Гальванические развязки. Спиновые транзисторы. Оборудование для измерения параметров ферромагнитных тонких пленок. Список литературы.