Радиационная стойкость биполярных транзисторов

Description

М.: Научно-образовательный центр Московского региона в области фундаментальных проблем радиационной физики твердого тела и радиационного материаловедения. Московский государственный институт электроники и математики, 2000. - 102 с.Основным содержанием учебного пособия является рассмотрение вопросов влияния радиации, создающей структурные дефекты, на основные параметры биполярных транзисторов. Рассматриваются вопросы, связанные с влиянием ионизационных факторов на работу транзисторов (радиационные переходные процессы); рассматривается влияние ядерных реакций и быстрого отжига на параметры транзисторов; дается классификация радиационных эффектов в биполярных транзисторах.ОглавлениеВведениеВлияние радиационного воздействия, создающего необратимые структурные дефекты, на коэффициент передачи тока транзистораВлияние радиации на статический коэффициент передачи тока транзистора, включенного по схеме с ОЭВлияние радиации на дифференциальный коэффициент передачи тока транзистора, включенного по схеме с ОЭРадиационные эффекты в биполярных транзисторах при больших плотностях токаРадиационная стойкость транзисторов, работающих в ключевом режимеВлияние радиации на обратный ток коллектора Радиационные эффекты в биполярных транзисторах, обусловленные ядерными реакциямиРадиационные переходные процессы в биполярных транзисторахБыстрый отжигКлассификация радиационных дефектов в биполярных транзисторахБиблиографический список