Распределение железа имплантированного в кремний при действии мощного ионного пучка и лазерного излучения

Description

Литературный перевод. Iron distribution in the implanted silicon under the action of high-power pulsed ion and laser beams. Elseiver. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 240 (2005) 224–228 В данной статье представлены результаты по исследованию фазового состава, микроструктуры и распределения легирующего элемента по глубине в кремнии легированном ионами железа и отожженном с использованием ионного пучка и лазера. Данные рентгеновской дифракции указывают переход фазы FeSi→β-FeSi2 с увеличением плотности энергии импульса. После ионной имплантации и импульсной обработки, кремниевые слои получили клеточную структуру, которая связана с низкой растворимостью железа в кремнии. В зависимости от концентрации атомов железа имеет место сегрегация примеси к поверхности или распространению в кремний. Эта зависимость объясняется быстрым распространением железа в жидком кремнии и увеличении коэффициента распределения примеси при увеличении ее концентрации. Результаты компьютерного моделирования хорошо согласуются с экспериментальными данными относительно распределения железа по глубине и дают коэффициент сегрегации близко к 1 при самой высокой концентрации примеси.