RUSSIAN

Магниторезистивные запоминающие элементы для устройств с произвольной выборкой

By Васильева Н.П. , Касаткин С.И. , Муравьев А.М.

Book information

Language
russian
Format
DJVU
Filesize
2 MB (1862531 bytes)
Pages
\60
Library
twirpx
Time added
2017-08-07 07:01:42
Приборостроение;Электроника

Description

Препринт. - М.: Институт проблем управления РАН, 1998, 60 с.В работе изложены принципы действия, построения и характеристики тонкопленочных многослойных магниторезистивных (МР) элементов памяти, в том числе новых предложенных анизотропных МР элементов включая разработку технологии и исследование опытных образцов. Приведены результаты теоретического исследования МР запоминающих элементов, основанных на недавно открытом спин-вентильном ("гигантском") магниторезистивном эффекте. Авторами исследованы МР структуры и предложены методы динамического и статического считывания, улучшающие характеристики известных зарубежных элементов.Введение. Принципы действия тонкопленочных многослойных магниторезистивных элементов. Запоминающие элементы, основанные на анизотропном магниторезистивном эффекте. Теоретическое исследование принципов построения запоминающих элементов на основе спин-вентильного магниторезистивного эффекта. Перспективы применения спин-вентильных запоминающих элементов. Литература. Список используемых терминов.

Similar books