Физические основы микроэлектроники

Description

Курс лекций / Новосиб. гос. ун-т. Новосибирск, 2009. — 192 с.Учебное пособие включает лекции по обязательному одноименному курсу, читаемому для студентов отделения информатики физического факультета Нгу и предназначено для студентов 4 курса кафедр Афти и Фти. Так как современная микроэлектроника – этополупроводниковая микроэлектроника, примерно половина курса посвящена введению в физику полупроводников. В другой половине излагаются физические принципы работы основных элементов микроэлектроники, основы технологии и перспективы микроэлектроники, которая на рубеже веков преодолела субмикронный масштаб и трансформировалась в наноэлектронику.В пособие включены вопросы для подготовки к экзамену и некоторые задачи, которые рекомендованы к решению на семинарских занятиях или для самостоятельной подготовки.ОглавлениеВведениеСтруктура, методы роста и исследования полупроводниковДинамика кристаллической решетки. ФононыЭлементы зонной теории твердого телаСтатистика электронов и дырок в полупроводникахПримеси в полупроводникахКинетические явления в полупроводникахТермоэлектрические и термомагнитные явления. Диффузионный токПоверхность полупроводника, поверхностные состояния.Область пространственного заряда – Опз. Гетерограница,гетероструктурыКонтакт металл–полупроводник. Диод Шоттки.P-n переходПриборное применение p-n переходов. Биполярный транзисторЭффект поля. Мдп–транзисторПриборы на основе Мдп–структурЭлементы планарной технологииПроблемы и предельные параметры планарной технологии. НаноэлектроникаЭкзаменационные вопросыКритериальные вопросы Библиографический список